[发明专利]硅晶圆上的一种低发射率红外增透膜有效
| 申请号： | 201810078435.6 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108227048B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 路海;董超;张军;夏世强;沈克胜;熊宗刚;张现周 | 申请（专利权）人： | 河南师范大学 |
| 主分类号： | G02B1/115 | 分类号： | G02B1/115 |
| 代理公司： | 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 41139 | 代理人： | 路宽 |
| 地址： | 453007 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了硅晶圆上的一种低发射率红外增透膜，在双面抛光的硅晶片基底的两面分别沉积正面膜系和背面膜系，所述正面膜系的膜系结构为：基底/1.0814M/0.4048H/1.3307L/0.235M/0.608L/Air；所述背面膜系的膜系结构为：基底/1.3626M/0.5101H/1.6767L/0.24M/0.7661L/Air；其中H表示一个λ0/4光学厚度的Ge膜层，M表示一个λ0/4光学厚度的ZnS膜层，L表示一个λ0/4光学厚度的YF3膜层，λ0为中心波长，H、M和L前的数字为膜层的厚度比例系数。本发明提出了硅基底的一种具有低发射率的红外增透膜，增透区域光谱范围为广（3.5‑15μm范围内均有明显增透效果），且在4.5‑8.5μm范围内平均透过率≥97.6%，同时在工作波段内具有较低的发射率。 | ||
| 搜索关键词： | 红外增透膜 低发射率 基底 膜系结构 正面膜系 背面膜 硅晶圆 膜层 比例系数 工作波段 区域光谱 双面抛光 增透效果 中心波长 发射率 硅晶片 透过率 硅基 增透 沉积 | ||
【主权项】：
1.硅晶圆上的一种低发射率红外增透膜，其特征在于：在双面抛光的硅晶片基底的两面分别沉积正面膜系和背面膜系，所述正面膜系的膜系结构为：基底/1.0814M/0.4048H/1.3307L/0.235M/0.608L/Air；所述背面膜系的膜系结构为：基底/1.3626M/0.5101H/1.6767L/0.24M/0.7661L/Air；其中H表示一个λ0/4光学厚度的Ge膜层，M表示一个λ0/4光学厚度的ZnS膜层，L表示一个λ0/4光学厚度的YF3膜层，λ0为中心波长，H、M和L前的数字为膜层的厚度比例系数；以硅晶片为基底的红外增透膜对中红外波段范围具有增透作用且具有较低发射率，其对3.5‑15μm中红外波段范围都具有明显增透作用，尤其是在4.5‑8.5μm中红外波段范围更是具有平稳而又高效的增透作用，最高透过率≥98%，平均透过率≥97.6%，且在工作波段内具有较低的发射率，镀膜后的平均发射率增加≤0.02，在提高辐射测温较弱辐射的红外检测性能中有着很好的作用。
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