[发明专利]蚀刻组合物在审
| 申请号： | 201810079461.0 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108359987A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李宝研;朴钟模;李熙雄;安镐源;金世训 | 申请（专利权）人： | 易案爱富科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 杨黎峰;钟锦舜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及蚀刻组合物，更具体地，提供用于蚀刻用作TFT‑LCD显示器的电极等的过渡金属膜的蚀刻组合物，根据本发明的蚀刻组合物通过显著提高处理件数，即使在蚀刻液内的金属离子含量高的情况下，也在蚀刻偏差、锥角、尾长等方面具有卓越的蚀刻特性，因此可以有效地用于TFT‑LCD显示器、OLED电极制造等方面。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻组合物 蚀刻 过渡金属膜 金属离子 蚀刻特性 蚀刻液 有效地 电极 尾长 锥角 制造 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻组合物，所述蚀刻组合物包含：蚀刻抑制剂，其选自分子内含有从氧、硫和氮中选择的一种以上的杂原子的单环式或多环式杂环化合物；螯合剂；及选自硫酸盐和磷酸盐的蚀刻调节剂，其中，以所述蚀刻抑制剂1重量份为基准，所述蚀刻组合物含有20至60重量份的螯合剂及5至12重量份的蚀刻调节剂，且满足下列关系式1和关系式2：[关系式1]△Ta〈10°，在上述关系式1中，△Ta表示锥角变化幅度的绝对值；[关系式2]△Ebias〈0.05μm，在上述关系式2中，△Ebias表示蚀刻偏差变化幅度的绝对值。
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