[发明专利]一种酸碱响应的各向异性浸润不对称硅纳米圆柱阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201810081118.X | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108249391B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 张俊虎;葛鹏;杨柏 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;C23C14/16;C23C14/24;C23C14/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 22201 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘世纯;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种酸碱响应的各向异性浸润不对称硅纳米圆柱阵列的制备方法，属于材料科学技术领域。本发明结合界面自组装和胶体晶体刻蚀的方法，在硅基底表面制备出六方非紧密堆积的纳米圆柱阵列，通过不对称地在柱阵列的左右两侧修饰酸碱响应功能基团，我们实现了诱导强酸强碱沿着不同方向单向浸润的“两面神”基底，该基底同样可以诱导酸碱度介于1和13之间的液体从单向浸润，向各向异性浸润、各向同性浸润、反方向各向异性浸润、反方向单向浸润转换。“两面神”基底在被酸碱处理后，对水同样展示了响应浸润行为，水可以在两个方向的单向浸润之间相互转换。本发明步骤简单，不涉及昂贵的仪器，其卓越的刺激响应性会在许多领域有着重要应用。 | ||
| 搜索关键词： | 浸润 圆柱阵列 不对称 基底 酸碱 制备 响应 反方向 硅纳米 诱导 酸碱度 材料科学技术 刺激响应性 硅基底表面 功能基团 胶体晶体 结合界面 紧密堆积 强酸强碱 酸碱处理 重要应用 左右两侧 柱阵列 自组装 转换 刻蚀 修饰 展示 | ||
【主权项】：
1.一种酸碱响应的各向异性浸润不对称硅纳米圆柱阵列的制备方法，其步骤如下：/n1)硅基片的表面处理：将硅基片依次放置于丙酮、无水乙醇以及去离子水中超声清洗5～15min；然后将超声清洗后的硅基片置于酸性氧化处理液煮沸处理30～50min，最后用去离子水清洗至无酸液残留，存于去离子水中待用；/n2)将表面疏水化处理的直径为1～3μm的聚苯乙烯微球分散在5～10mL、体积比为1：1的水与无水乙醇混合溶液中，得到浓度为5～10wt％的聚苯乙烯微球分散液；将聚苯乙烯微球分散液在15～25℃、功率90～110W条件下超声60～80min，再以1～4μL min
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