[发明专利]一种半导体工艺参数控制方法在审

专利信息
申请号: 201810081354.1 申请日: 2018-01-29
公开(公告)号: CN110161846A 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 程平 申请(专利权)人: 安徽华晶微电子材料科技有限公司
主分类号: G05B13/04 分类号: G05B13/04;G05D23/19
代理公司: 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 代理人: 李静
地址: 230011 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种半导体工艺参数控制方法,其方法如下:获取工艺配方中各环节工艺的变量参数,包括所述各环节变量参数的目标值及变化率;采集各环节变量参数的实时变化值;根据所述实时变化值与所述变量参数生成一组变量控制参数;根据所述变量控制参数生成一组变量功率控制参数;根据所述变量功率控制参数分别向各环节工艺供给第一范围值电功率或第二范围值电功率,以分别使所述各环节工艺工作于所述预设工艺阶段;本发明相比现有技术具有以下优点:在工艺要求高、工艺复杂或产能较大的场合,本发明可缩短工艺时间、降低能耗、提高产能,使整个工艺得到最佳程度的优化,从而利于在半导体行业领域内推广。
搜索关键词: 变量参数 电功率 环节 半导体工艺 变量功率 变量控制 参数控制 控制参数 实时变化 产能 半导体行业 参数生成 工艺阶段 工艺配方 工艺要求 变化率 预设 采集 优化
【主权项】:
1.一种半导体工艺参数控制方法,其特征在于,其方法如下:获取工艺配方中各环节工艺的变量参数,包括所述各环节变量参数的目标值及变化率;采集各环节变量参数的实时变化值;根据所述实时变化值与所述变量参数生成一组变量控制参数;根据所述变量控制参数生成一组变量功率控制参数;根据所述变量功率控制参数分别向各环节工艺供给第一范围值电功率或第二范围值电功率,以分别使所述各环节工艺工作于所述预设工艺阶段。
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