[发明专利]一种具有光导薄膜结构的LED芯片及制作方法有效
| 申请号： | 201810082637.8 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108281526B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;赵炆兼;马祥柱;张国庆;陈凯轩 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有光导薄膜结构的LED芯片及制作方法，该制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成外延层结构；在外延层结构背离衬底一侧形成GaP层；对GaP层刻蚀，形成未贯穿GaP层的平顶倒锥形凹槽，平顶倒锥形凹槽的开口大小在第一方向上逐渐增大，其中，第一方向垂直于衬底，且由衬底指向外延层结构；在平顶倒锥形凹槽表面依次沉积第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层，其中，第一氧化层的折射率＜第二氧化层的折射率＜第三氧化层的折射率；在平顶倒锥形凹槽平顶处设置电极结构。该制作方法使光线更加集中在法线方向，光线具有较好的同路且解决了GaP层与空气之间的全反射问题，进而使LED芯片发出的光更加集中，发光角度小。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化层 衬底 平顶 倒锥形凹槽 外延层结构 折射率 光导薄膜 制作 电极结构 法线方向 方向垂直 逐渐增大 全反射 刻蚀 沉积 发光 开口 指向 背离 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种具有光导薄膜结构的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层结构；在所述外延层结构背离所述衬底一侧的形成GaP层；对所述GaP层进行刻蚀，形成未贯穿所述GaP层的平顶倒锥形凹槽，所述平顶倒锥形凹槽的开口大小在第一方向上逐渐增大，其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；在所述平顶倒锥形凹槽的侧面依次沉积第一氧化层、第二氧化层以及第三氧化层，其中，第一氧化层的折射率＜第二氧化层的折射率＜第三氧化层的折射率；在所述平顶倒锥形凹槽的平顶处设置电极结构。
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