[发明专利]一种用于清洗经化学机械抛光的晶片的清洗组合物在审
| 申请号： | 201810082805.3 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN110093616A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 曹立志;王新龙;支肖琼;杨玉川;周友 | 申请（专利权）人： | 张家港奥擎电子化学有限责任公司 |
| 主分类号： | C23G1/26 | 分类号： | C23G1/26 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 肖威;刘金辉 |
| 地址： | 215634 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于清洗经化学机械抛光的晶片的清洗组合物，其包含聚乙烯亚胺、链烷醇胺、金属腐蚀抑制剂和任选的非离子表面活性剂。本发明清洗组合物可用于对化学机械抛光后的含金属晶片进行表面清洗。本发明清洗组合物可将抛光后残留在晶片表面的研磨颗粒、各种有机残留物和金属离子去除，降低表面缺陷，并且可以防止金属表面的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗组合物 化学机械抛光 晶片 清洗 非离子表面活性剂 金属腐蚀抑制剂 金属离子去除 聚乙烯亚胺 有机残留物 表面清洗 表面缺陷 金属表面 金属晶片 晶片表面 链烷醇胺 研磨颗粒 抛光 可用 残留 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种用于清洗经化学机械抛光的晶片的清洗组合物，其包含聚乙烯亚胺、链烷醇胺、金属腐蚀抑制剂和任选的非离子表面活性剂。
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