[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810083071.0 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108198829A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 何玉坤;何延强;林宗德;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种CMOS图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行离子注入，以在所述半导体衬底内形成光电二极管掺杂区，所述光电二极管掺杂区包括浅掺杂区和深掺杂区，其中，所述深掺杂区自所述浅掺杂区底部两侧伸出，或者所述深掺杂区位于所述浅掺杂区的两侧，所述浅掺杂区和深掺杂区的掺杂类型相同且与所述半导体衬底的掺杂类型相反；在所述半导体衬底的表面形成栅极，所述浅掺杂区位于所述栅极一侧的所述半导体衬底内；在所述栅极另一侧的所述半导体衬底内形成浮置扩散区，所述浮置扩散区的掺杂类型与所述半导体衬底的掺杂类型不同。本发明方案可以在不影响输出图像品质的情况下提高光电二极管的满阱容量。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 浅掺杂区 掺杂类型 深掺杂区 光电二极管掺杂区 浮置扩散区 表面形成栅极 光电二极管 输出图像 离子 伸出 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行离子注入，以在所述半导体衬底内形成光电二极管掺杂区，所述光电二极管掺杂区包括浅掺杂区和深掺杂区，其中，所述深掺杂区自所述浅掺杂区底部两侧伸出，或者所述深掺杂区位于所述浅掺杂区的两侧，所述浅掺杂区和深掺杂区的掺杂类型相同且与所述半导体衬底的掺杂类型相反；在所述半导体衬底的表面形成栅极，所述浅掺杂区位于所述栅极一侧的所述半导体衬底内；在所述栅极另一侧的所述半导体衬底内形成浮置扩散区，所述浮置扩散区的掺杂类型与所述半导体衬底的掺杂类型不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810083071.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像传感器及其制造方法
- 下一篇：图像传感器及形成图像传感器的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
