[发明专利]一种GaN基LED晶片金属电极图形制作方法

摘要

一种GaN基LED晶片金属电极图形制作方法，包括如下步骤：a)制备生长完成外延层的GaN基外延片；b)在P型GaN层上利用电子束蒸发台生长ITO层；c)蒸镀一层氯化铯层；d)制作电极掩膜图形；e)蒸镀金属电极；f)制作金属电极图形。使用镀膜机蒸镀的氯化铯层作为电极掩膜图形，只需要将制作完成金属膜层的氯化铯掩模图形放置到水里，氯化铯会吸水自动形成紧密的球状体，使整个氯化铯层与P型氮化镓之间以及与金属膜层之间的粘附性大大降低，通过超声处理，氯化铯会脱离ITO层表面，再使用粘性膜覆盖，很容易将整个氯化铯层除掉，间接的除掉氯化铯上的金属，从而剥离金属，得到完整的电极图形。

主权项

1.一种GaN基LED晶片金属电极图形制作方法，其特征在于，包括如下步骤：a)制备生长完成外延层的GaN基外延片，该GaN基外延片自下而上分别为衬底层（1）、N型GaN层（2）、量子阱层（3）以及P型GaN层（4）,在外延片N区使用刻蚀机刻蚀到N型GaN层（2），形成N电极区；b)在P型GaN层（4）上利用电子束蒸发台生长ITO层（5），使用光刻胶制作掩膜图形，利用湿法腐蚀工艺腐蚀出ITO图形，腐蚀完成后对ITO层（5）进行高温退火处理；c)在GaN基外延片放置于电子束蒸发台中在真空环境下加热蒸镀一层氯化铯层（6）；d)使用负性光刻胶在GaN基外延片表面进行涂胶，将涂胶后的GaN基外延片放置到热板上进行第一次烘烤；e)将GaN基外延片进行曝光操作，将曝光后的GaN基外延片放置到热板上进行第二次烘烤；f)将GaN基外延片放入显影液中显影，显影时间为20‑50秒，显影液温度为50‑70℃，显影液保持恒温，显影的同时进行超声处理，超声完成后使用有机溶剂进行去胶操作；g)将GaN基外延片放置到电子束蒸发台内，在常温真空环境下进行金属电极蒸镀；h)将GaN基外延片放置到纯水中，进行超声处理；i)使用粘性膜粘贴掉ITO层（5）上的氯化铯层（6）与附着在氯化铯层（6）表面的P、N金属电极（7），使用粘性膜粘贴掉N型GaN层（2）上的氯化铯层（6）与附着在氯化铯层（6）表面的P、N金属电极（7），得到金属电极图形。