[发明专利]SRAM存储器有效
| 申请号： | 201810083598.3 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN110097907B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈根华;王林 | 申请（专利权）人： | 展讯通信（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SRAM存储器。所述SRAM存储器包括：多个区块，区块个数满足2的指数函数，每个区块的存储单元均为单端八管SRAM单元，每个区块的读位线的条数相同，每个区块的全部读位线均设置有对应的控制信号线，各条读位线分别与各自对应的控制信号线在布线时相邻铺设且方向平行，以使相对应的读位线和控制信号线之间通过线电容进行耦合；相邻的两个区块相互配合，相互配合的两个区块共用一组差分放大器，差分放大器的个数与每个区块的读位线的条数相同，差分放大器的第一输入端连接至其中一个区块的一条读位线，第二输入端连接至另一个区块的与第一输入端所连接的读位线位置相对应的一条读位线。本发明能够提高SRAM的数据读取速度。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM存储器，其特征在于，包括：多个区块，区块个数满足2的指数函数，每个所述区块的存储单元均为单端八管SRAM单元，每个所述区块的读位线的条数相同，每个所述区块的全部读位线均设置有对应的控制信号线，各条读位线分别与各自对应的控制信号线在布线时相邻铺设且方向平行，以使相对应的读位线和控制信号线之间通过线电容进行耦合；相邻的两个区块相互配合，相互配合的两个区块共用一组差分放大器，差分放大器的个数与每个所述区块的读位线的条数相同，所述差分放大器的第一输入端连接至其中一个区块的一条读位线，所述差分放大器的第二输入端连接至另一个区块的与所述第一输入端所连接的读位线位置相对应的一条读位线，所述差分放大器用于数据读取时，当与所述差分放大器连接的其中一条读位线上的SRAM单元被选中，输出所述SRAM单元存储的数据。
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