[发明专利]一种单晶掺镓硅片及其制备方法和太阳电池在审
| 申请号： | 201810084083.5 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108364999A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李华;靳玉鹏 | 申请（专利权）人： | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/167 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 张弘 |
| 地址： | 225314 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶掺镓硅片及其制备方法和太阳电池，此单晶硅片中含有镓元素；其中镓元素的浓度为1×1013～1×1017个原子/立方厘米；使用此单晶硅片制备成电池具有较好的效率，以及相对较低的光衰比例。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 镓元素 硅片 单晶 单晶硅 单晶硅片 立方厘米 光衰 电池 | ||
【主权项】：
1.一种单晶掺镓硅片，其特征在于：所述的单晶硅片中掺杂有镓元素，镓元素的浓度为1×1013～1×1017个原子/立方厘米，单晶硅片的导电类型为p型。
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