[发明专利]一种棱柱状硫化镍阵列薄膜材料的原位制备方法有效

专利信息
申请号: 201810085248.0 申请日: 2018-01-29
公开(公告)号: CN108315730B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 樊玉欠;单喜璐;王璐萌;黄苇苇;袁朝晖;王靖宇;范愉 申请(专利权)人: 燕山大学
主分类号: C23C22/60 分类号: C23C22/60
代理公司: 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙) 13116 代理人: 续京沙
地址: 066004 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 一种棱柱状硫化镍阵列薄膜材料的原位制备方法,其主要步骤包括:首先,将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面;然后配制碱性电解液,主要原料为金属碱化合物,辅助原料碱金属硫化物;其次,将电解液放入反应釜中,同时将干净的镍基体浸入电解液中,将反应釜置于马弗炉中在120‑250℃进行水热反应10‑50小时,使得金属镍表面发生硫化原位生长反应;最后,将水热后的镍基体取出、清洗干净并干燥,即可获得棱柱状硫化镍阵列薄膜材料。本发明制备方法简单、原材料廉价、易于操作、生产价格低,所制备的薄膜材料厚度可控、活性高,适合工业化大生产。
搜索关键词: 一种 棱柱 硫化 阵列 薄膜 材料 原位 制备 方法
【主权项】:
1.一种棱柱状硫化镍阵列薄膜材料的原位制备方法,其特征在于:它包括以下步骤:(1)将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面;(2)配制碱性电解液,主要原料为金属碱化合物,辅助原料为碱金属硫化物;(3)将电解液放入反应釜中,同时将干净的镍基体浸入电解液中;下一步,将反应釜置于马弗炉中在120‑250℃进行水热反应10‑50小时,使得金属镍表面发生硫化原位生长反应;(4)将水热后的镍基体取出、清洗干净并干燥,即可获得棱柱状硫化镍阵列薄膜材料。
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