[发明专利]基于电介质薄膜电场强度特性的抗激光损伤能力对比方法在审
| 申请号： | 201810085554.4 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108333221A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 范卫星;韩敬华;金玲;杜其芬;周荣铿 | 申请（专利权）人： | 东莞隆润光学技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 李凌峰 |
| 地址： | 523287 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及薄膜技术。本发明解决了目前光学薄膜的抗激光损伤能力对比时，对比结果不完全准确、且费时费力的问题，提供了一种基于电介质薄膜电场强度特性的抗激光损伤能力对比方法，其技术方案可概括为：针对欲对比的处于光学元件表面的至少两个薄膜，分别在硅基底上模拟镀制对应的相同厚度的薄膜，然后分别制作金属电极构成MOS电容结构，再为各MOS结构输入电压，确定输入电压对应的电场强度，测定各MOS结构在同一电场强度下的漏电电流，获得对应的漏电电流密度，对比在相同电场强度下漏电电流密度的大小，其中漏电电流密度较小的薄膜，所对应的抗激光损伤能力较强。本发明的有益效果是：简单实用，适用于对比薄膜抗激光损伤能力。 | ||
| 搜索关键词： | 抗激光损伤 薄膜 漏电 能力对比 电场强度特性 电介质薄膜 输入电压 光学元件表面 薄膜技术 对比结果 光学薄膜 金属电极 漏电电流 镀制 硅基 费力 制作 | ||
【主权项】：
1.基于电介质薄膜电场强度特性的抗激光损伤能力对比方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、针对欲对比的处于光学元件表面的至少两个薄膜，在保持相同镀膜条件下，分别在相同类型的硅基底上镀制薄膜，且确保硅基底上的薄膜与光学元件表面的薄膜一一对应，且特性一致；步骤2、分别在硅基底的薄膜上制作金属电极，各自构成MOS电容结构；步骤3、为各MOS结构输入电压，根据各MOS结构中薄膜的厚度确定输入电压对应的电场强度，测定各MOS结构在同一电场强度下的漏电电流；步骤4、根据各MOS结构中的薄膜面积获得对应的漏电电流密度；步骤5、对比在相同电场强度下漏电电流密度的大小，其中漏电电流密度较小的薄膜，所对应的抗激光损伤能力较强。
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