[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201810086095.1 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108511393B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 槙山秀树 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12;H10B10/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。在一种用于在绝缘体上硅衬底之上形成的半导体器件的制造方法中，在宽有源区中的第一半导体层的外周端部之上部分地形成第一外延层。然后，在窄有源区和宽有源区中的第一半导体层的每个之上形成第二外延层。由此，在宽有源区中形成由第一半导体层以及第一和第二外延层的层叠体配置的第二半导体层，并且在窄有源区中形成由第一半导体层和第二外延层的层叠体配置的第三半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)在绝缘体上硅衬底的半导体层侧上形成隔离部分，由此形成被所述绝缘体上硅衬底中的所述隔离部分分隔的有源区，其中所述绝缘体上硅衬底包括支撑衬底、所述支撑衬底上形成的掩埋绝缘膜以及所述掩埋绝缘膜上形成的所述半导体层；(b)通过对所述绝缘体上硅衬底执行第一选择性外延生长处理，在所述有源区中的所述半导体层的外端部上选择性地形成第一外延层；以及(c)在步骤(b)之后，通过对所述绝缘体上硅衬底执行第二选择性外延生长处理，在所述第一外延层和所述有源区中的所述半导体层之上选择性地形成第二外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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