[发明专利]人工神经元结构及其制备方法、信号和时间提取方法有效
| 申请号： | 201810086638.X | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108336145B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王盛凯;梁学磊;黄奇;赵杰;赵晓亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G06N3/063 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种人工神经元结构及其制备方法、信号和时间提取方法，其中，该人工神经元结构，包括：衬底；背栅金属层，位于所述衬底下方；外延层，位于所述衬底上方；两个互不接触的源漏金属层，位于所述外延层上方；以及有机薄膜层，分别与两个所述源漏金属层接触，且叠置于所述外延层之上，其中，该有机薄膜层上设有两个开孔，用于裸露至少部分的两个所述源漏金属层。该人工神经元结构通过模拟生物神经元的工作原理，利用电化学反应提供的电荷调控半导体沟道中的载流子浓度分布，对多种电刺激实现对应的输出；具有含时变化的特性；可以断电工作，使静态功耗降低至零，适合低功耗电路应用；同时还具有非常广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 人工 神经元 结构 及其 制备 方法 信号 时间 提取 | ||
【主权项】：
1.一种人工神经元结构，包括：衬底；背栅金属层，位于所述衬底下方；外延层，位于所述衬底上方；两个互不接触的源漏金属层，位于所述外延层上方；以及有机薄膜层，分别与两个所述源漏金属层接触，且叠置于所述外延层之上，其中，该有机薄膜层上设有两个开孔，用于裸露至少部分的两个所述源漏金属层。
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