[发明专利]半导体装置

摘要

实施方式提供一种具有较高的雪崩耐量的半导体装置。实施方式的半导体装置在配置有发射极层的单元区域中的集电极电极与第1导电型基极层之间设有第2导电型的第1集电极层。在配置有栅极布线的边界区域中的集电极电极与第1导电型基极层之间设有第2导电型的第2集电极层。第2集电极层中的第2导电型杂质浓度的峰值比第1集电极层中的第2导电型杂质浓度的峰值高。

主权项

1.一种半导体装置，其中，具备：半导体层，具有第1主面和第2主面；集电极电极，设在上述第1主面上；发射极电极，设在上述第2主面上；栅极电极，设在上述第2主面侧的上述半导体层内，在第1方向上延伸；栅极布线，设在上述第2主面上，在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸，与上述栅极电极连接；以及绝缘膜，设在上述栅极电极与上述半导体层之间，上述半导体层具有：第1导电型基极层；第2导电型基极层，设在上述第1导电型基极层与上述发射极电极之间；第1导电型的发射极层，设在上述第2导电型基极层与上述发射极电极之间，与上述发射极电极连接；第2导电型的第1集电极层，设在配置有上述发射极层的单元区域中的上述集电极电极与上述第1导电型基极层之间；第2导电型的第2集电极层，设在配置有上述栅极布线的边界区域中的上述集电极电极与上述第1导电型基极层之间，上述第2集电极层中的第2导电型杂质浓度的峰值比上述第1集电极层中的第2导电型杂质浓度的峰值高。