[发明专利]包括凹入式栅电极部分的半导体器件

摘要

半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高度在第一有源图案上延伸的凹入部分。第二栅电极可以包括以第一高度在第二有源图案上延伸的上部，并且包括以比第二栅电极的第一高度低的第二高度在第二有源图案上延伸的凹入部分。绝缘图案可以位于第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分之间，并且与第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分直接相邻，绝缘图案使第一栅电极和第二栅电极彼此电隔离。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别延伸跨过所述第一有源图案和所述第二有源图案；以及绝缘图案，位于所述第一栅电极和所述第二栅电极之间以将所述第一栅电极和所述第二栅电极彼此分开，其中所述第一栅电极、所述绝缘图案以及所述第二栅电极沿第一方向布置，以及其中所述第一栅电极包括：第一部分，沿所述第一方向延伸；以及第二部分，在所述第一部分和所述绝缘图案之间，所述第二部分的顶表面的高度低于所述第一部分最靠近所述第二部分的顶表面的高度。