[发明专利]一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法在审
申请号: | 201810087894.0 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN108264348A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 傅邱云;王耿;周东祥;郑志平;罗为 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C04B35/50 | 分类号: | C04B35/50;C04B35/46;C04B35/622 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法,其中,高介电常数低损耗微波介质陶瓷包括主晶相,所述主晶相的化学表达式为Ba6‑3x(PrySm1‑y)8+2xTi18O54,其中,1/2≤x≤2/3,0≤y≤0.25。本发明创造性的使用少量Pr对进行Sm置换,得到高介电常数低损耗微波介质陶瓷Ba6‑3x(PrySm1‑y)8+2xTi18O54,其中,1/2≤x≤2/3,0≤y≤0.25。本发明的高介电常数低损耗微波介质陶瓷具有近零温度系数‑11.5ppm/℃~+5.1ppm/℃,高介电常数78.1~83.8,较高的品质因数7100GHz~9700GHz。 | ||
搜索关键词: | 高介电常数 低损耗微波介质陶瓷 主晶相 制备 化学表达式 零温度系数 品质因数 置换 | ||
【主权项】:
1.一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷,其特征在于,包括主晶相,所述主晶相的化学表达式为Ba6‑3x(PrySm1‑y)8+2xTi18O54,其中,1/2≤x≤2/3,0≤y≤0.25。
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