[发明专利]一种GaAs系多结太阳能电池及其制作方法

摘要

本申请提供一种GaAs系多结太阳能电池及其制作方法，所述制作方法在形成半蚀刻切割道时，采用电感耦合等离子体蚀刻工艺在太阳能电池外延片上形成半蚀刻切割道，由于利用感应耦合等离子干法蚀刻GaAs聚光太阳能电池切割道，从而能够减小切割道面积损失，进而提高太阳能电池的光电转换效率。另外，还可以过特定气体，等离子钝化切割道，形成钝化膜，进一步提高太阳能电池的光电转换效率。

主权项

1.一种GaAs系多结太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：提供太阳能电池外延片，所述太阳能电池外延片包括相对设置的正面和背面；在所述正面制作形成正面电极；采用电感耦合等离子体蚀刻工艺在所述正面进行半蚀刻切割，得到半蚀刻切割道；蒸镀减反射膜，覆盖所述正面；在所述背面制作形成背面电极；采用薄刀切割所述背面，切割位置与所述半蚀刻切割道对应，以贯穿所述太阳能电池外延片，形成分离的太阳能电池。