[发明专利]采用高-低双密度光极配置的功能性近红外脑功能成像系统在审
| 申请号： | 201810088933.9 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108464813A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 葛盛;江一川;刘慧 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | A61B5/00 | 分类号： | A61B5/00;A61B5/1455 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 熊玉玮 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了采用高‑低双密度光极配置的功能性近红外脑功能成像系统，属于生物成像与信息处理相交叉的技术领域。该系统包括：至少一个配置于大脑表面的发射极、配置于大脑表面且与发射极构成低密度fNIRS通道的接收极、配置于大脑表面且与低密度fNIRS通道中的发射极构成高密度fNIRS通道的接收极、信号处理器，通过对采集的fNIRS信号进行独立成分分析以及相关性分析剔除fNIRS信号中表征表浅组织fNIRS信号的独立成分，有效地分离和去除了现有fNIRS系统中包含的表浅组织fNIRS信号，能够获得真实反映大脑皮层神经活动的fNIRS信号，提高了fNIRS系统的信号质量。 | ||
| 搜索关键词： | 大脑表面 发射极 脑功能成像 表浅组织 接收极 配置的 配置 独立成分分析 信号处理器 大脑皮层 神经活动 生物成像 信息处理 有效地 剔除 采集 分析 | ||
【主权项】：
1.采用高‑低双密度光极配置的功能性近红外脑功能成像系统，其特征在于，包括：至少一个配置于大脑表面的发射极，用于发射近红外光，配置于大脑表面且与发射极构成低密度fNIRS通道的接收极，用于探测低密度配置fNIRS信号，配置于大脑表面且与低密度fNIRS通道中的发射极构成高密度fNIRS通道的接收极，用于探测高密度配置fNIRS信号，所述高密度fNIRS通道的数目少于低密度fNIRS通道的数目，及，信号处理器，对低密度配置fNIRS信号和高密度配置fNIRS信号分别进行独立成分分析并剔除低密度配置fNIRS信号中表征表浅组织fNIRS信号的独立成分，将低密度配置fNIRS信号剩余的独立成分重构得到反映大脑皮层神经活动的fNIRS信号。
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