[发明专利]一种非均匀结构二硼化钛/铜复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810089030.2 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108251681A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 梁淑华;杜翔;姜伊辉;肖鹏;邹军涛;卓龙超 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/10 | 分类号： | C22C1/10;C22C1/05;C22C9/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 胡燕恒 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非均匀结构二硼化钛/铜复合材料的制备方法，具体为：分别称取Cu粉、Ti粉、B粉，首先将Ti粉与部分Cu粉球磨为复合粉末，然后对复合粉末与B粉和剩余的Cu粉进行机械混粉，混合均匀；混合均匀的粉末冷压成型，得到压坯；对压坯进行热压烧结，随炉冷却至室温，即得到TiB2增强铜基复合材料。本发明还公开了采用上述方法制备得到的复合材料。本发明制备的二硼化钛/铜复合材料中，TiB2增强体在基体中呈非均匀分布状态，其微观组织结构为增强体富集区和贫化区两种组织的混合状态，使得复合材料保持较高导电率的同时，增强了复合材料的强度和韧性。 | ||
| 搜索关键词： | 复合材料 制备 铜复合材料 二硼化钛 非均匀结构 复合粉末 增强体 压坯 非均匀分布状态 微观组织结构 高导电率 混合状态 冷压成型 热压烧结 随炉冷却 增强铜基 富集区 贫化区 称取 粉球 混粉 | ||
【主权项】：
1.一种非均匀结构二硼化钛/铜复合材料的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，分别称取Cu粉、Ti粉、B粉，首先将Ti粉与部分Cu粉球磨为复合粉末，然后对复合粉末与B粉和剩余的Cu粉进行机械混粉，混合均匀；步骤2，将步骤1混合均匀的粉末冷压成型，得到压坯；步骤3，对步骤2得到的压坯进行热压烧结，随炉冷却至室温，即得到TiB2增强铜基复合材料。
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