[发明专利]高电压LED光源及其制作方法在审
| 申请号： | 201810089085.3 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108336210A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 沈学如 | 申请（专利权）人： | 澳洋集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙) 32304 | 代理人： | 马丽丽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种高电压LED光源及其制作方法，该高电压LED光源包括衬底、以及形成于所述衬底表面的多个独立的LED单元，每个所述LED单元分别包括依次形成于衬底上的N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、ITO窗口层、SiO2钝化层、以及分别与所述ITO窗口层和N型GaN层电性连接的P电极和N电极，每个LED单元的P电极与相邻LED单元的N电极之间通过金属层电性串联，所述ITO窗口层的厚度为57.5nm的偶数倍。本发明的高压LED可以改善droop效率影响，制作的LED器件具有良好的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 窗口层 高电压 衬底 制作 金属层电性 衬底表面 出光效率 电性连接 量子阱层 效率影响 高压LED 相邻LED 偶数倍 串联 申请 | ||
【主权项】：
1.一种高电压LED光源，其特征在于，包括衬底、以及形成于所述衬底表面的多个独立的LED单元，每个所述LED单元分别包括依次形成于衬底上的N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、ITO窗口层、SiO2钝化层、以及分别与所述ITO窗口层和N型GaN层电性连接的P电极和N电极，每个LED单元的P电极与相邻LED单元的N电极之间通过金属层电性串联，所述ITO窗口层的厚度为57.5nm的偶数倍。
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