[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201810089267.0 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108281519B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 蒋媛媛;李昱桦;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括电子阻挡层，电子阻挡层为包括N个周期的超晶格结构，每个周期的超晶格结构均包括In | ||
| 搜索关键词： | 空穴 发光二极管外延 超晶格结构 电子阻挡层 多量子阱层 阻挡 溢流 半导体技术领域 二极管 发光效率 复合发光 逐渐降低 激活能 外延片 生长 减小 晶格 势垒 制造 升高 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠设置在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，其特征在于，/n所述电子阻挡层为包括N个周期的超晶格结构，每个周期的超晶格结构包括靠近所述多量子阱层的In
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