[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法在审
申请号: | 201810089386.6 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN108258003A | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 龙海凤;李天慧;藤井光一 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 薛异荣;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种背照式图像传感器及其形成方法,图像传感器包括:位于晶圆主体第一区内的第一感光器件和第一存储节点;位于晶圆主体第一区中的第一槽,第一槽位于第一存储节点上;位于第一槽中的第一附加反射结构,第一附加反射结构的侧壁表面与第一附加反射结构底部表面之间呈锐角,第一附加反射结构包括第一附加反射层,至少第一附加反射结构的侧壁表面暴露出第一附加反射层;位于第一槽底部的第一底反射层,第一底反射层至少位于第一附加反射结构侧部的第一槽底部,第一附加反射层和第一底反射层在第一槽底部表面的投影完全覆盖第一存储节点;位于第一槽中的第一透光层。所述背照式图像传感器的光电转换效率得到提高。 | ||
搜索关键词: | 第一槽 反射结构 反射层 背照式图像传感器 存储节点 侧壁表面 底部表面 晶圆主体 光电转换效率 图像传感器 感光器件 第一区 透光层 锐角 投影 暴露 | ||
【主权项】:
1.一种背照式图像传感器,其特征在于,包括:晶圆主体,晶圆主体包括主体背面,晶圆主体包括像素单元区,像素单元区包括第一区;位于晶圆主体第一区内的第一感光器件;位于晶圆主体第一区内的第一存储节点,且第一存储节点位于第一感光器件的侧部;位于晶圆主体第一区中的第一槽,第一槽的开口朝向主体背面,第一槽位于第一存储节点上且未延伸至第一感光器件上;位于第一槽中的第一附加反射结构,第一附加反射结构的侧壁表面与第一附加反射结构底部表面之间呈锐角,第一附加反射结构包括第一附加反射层,至少第一附加反射结构的侧壁表面暴露出第一附加反射层;位于第一槽底部的第一底反射层,第一底反射层至少位于第一附加反射结构侧部的第一槽底部,且第一附加反射层和第一底反射层在第一槽底部表面的投影完全覆盖第一存储节点;位于第一槽中的第一透光层,第一透光层位于第一附加反射结周围且位于第一底反射层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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