[发明专利]低压降整流器电路和电源切换电路有效
| 申请号： | 201810089521.7 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108199593B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 李永胜 | 申请（专利权）人： | 上海兆芯集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/217 | 分类号： | H02M7/217;H02M1/36;H03F3/45 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种低压降整流器电路和电源切换电路，该低压降整流器电路包括第一及第二金属氧化物半导体场效应晶体管、比较器以及电平调整电路。第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端用于接收控制电位，源极端连接至连接节点，漏极端连接至输入节点，而基极端连接至连接节点。第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端用于接收控制电位，源极端连接至输出节点，漏极端连接至连接节点，而基极端连接至输出节点。比较器根据输入节点的输入电位和输出节点的输出电位来产生第一比较电位和第二比较电位。电平调整电路根据第一比较电位和第二比较电位来产生及微调控制电位。本发明具有压低电路内的二极管的切入电压、微缩电路的总布局面积等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 电位 金属氧化物半导体场效应晶体管 整流器电路 连接节点 输出节点 低压降 电平调整电路 电源切换电路 接收控制 输入节点 比较器 基极端 漏极端 源极端 栅极端 电路 二极管 输出电位 输入电位 微调控制 微缩 切入 | ||
【主权项】：
1.一种低压降整流器电路，其特征在于，具有输入节点和输出节点，并包括：/n第一金属氧化物半导体场效应晶体管，具有栅极端、源极端、漏极端以及基极端，其中该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的该栅极端用于接收控制电位，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的该源极端连接至连接节点，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的该漏极端耦接至该输入节点，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的该基极端连接至该连接节点，而该输入节点用于接收输入电位；/n第二金属氧化物半导体场效应晶体管，具有栅极端、源极端、漏极端以及基极端，其中该第二金属氧化物半导体场效应晶体管的该栅极端用于接收该控制电位，该第二金属氧化物半导体场效应晶体管的该源极端耦接至该输出节点，该第二金属氧化物半导体场效应晶体管的该漏极端连接至该连接节点，该第二金属氧化物半导体场效应晶体管的该基极端连接至该输出节点，而该输出节点用于输出输出电位；/n比较器，比较该输入电位与该输出电位，以产生第一比较电位和第二比较电位；以及/n电平调整电路，根据该第一比较电位和该第二比较电位来产生并微调该控制电位；/n其中当该第一金属氧化物半导体场效应晶体管和该第二金属氧化物半导体场效应晶体管皆导通时，该输出电位等于该输入电位减去电压降，而该电压降介于0.1V至0.2V之间。/n
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