[发明专利]太阳能电池的制作方法在审
| 申请号： | 201810089762.1 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110098279A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 何川 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：对N型硅衬底进行双面制绒；在该N型硅衬底正面形成氧化层；在该氧化层上形成非晶硅或多晶硅；对该非晶硅或多晶硅进行选择性含硼元素注入，以在非晶硅或多晶硅的预定区域形成含硼元素掺杂；热处理该N型硅衬底，经含硼元素掺杂的非晶硅或多晶硅形成P型多晶硅，未经含硼元素掺杂的非晶硅或多晶硅形成本征多晶硅；对该N型硅衬底的正面进行碱刻蚀以去除至少部分该本征多晶硅，并保留P型多晶硅。利用简单的离子注入和选择性碱刻蚀工艺在N型太阳能电池正面形成图案化多晶硅层，既能减小多晶硅的吸光效应，又可以减少少子复合对太阳能电池效率的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅 非晶硅 硼元素 衬底 本征多晶硅 太阳能电池 掺杂的 氧化层 太阳能电池效率 图案化多晶硅层 热处理 衬底正面 刻蚀工艺 少子复合 吸光效应 选择性碱 预定区域 减小 刻蚀 制绒 去除 制作 离子 掺杂 保留 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对N型硅衬底进行双面制绒；S2：在该N型硅衬底正面形成氧化层；S3：在该氧化层上形成非晶硅或多晶硅；S4：对该非晶硅或多晶硅进行选择性含硼元素注入，以在非晶硅或多晶硅的预定区域形成含硼元素掺杂；S5：热处理该N型硅衬底，经含硼元素掺杂的非晶硅或多晶硅形成P型多晶硅，未经含硼元素掺杂的非晶硅或多晶硅形成本征多晶硅；S6：对该N型硅衬底的正面进行碱刻蚀以去除至少部分该本征多晶硅，并保留P型多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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