[发明专利]一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法

摘要

本发明公开了一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法，该探测器包括吸收区、阻挡区、源漏区、介电区和栅区六个部分，制备方法包括五个步骤，即通过光刻、离子注入、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、热蒸发技术在高阻GaAs基底依次形成吸收区，源漏区(与阻挡区)，介电区，源漏电极，以及栅区。本发明的优点是：栅区电压导致吸收区载流子耗尽有效降低了光生电子‑空穴对的复合速率，提高了内量子效率，从而提高了传统杂质光电导型光子探测器的探测率，并且与当前的半导体工艺技术相兼容。

主权项

1.一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器，包括GaAs基底(1)、吸收区(2)、阻挡区(11)、源漏区(3)、介电层(4)和栅区(5)，其特征在于：所述的吸收区(2)和阻挡区(11)代替了晶体管的沟道；所述的介电层(4)隔断了源漏电极(6)；所述探测器的源漏区(3)和栅区(5)分别施加固定大小的偏压，被探测光背入射至吸收区，通过监控源漏区(3)之间电流的变化来探测入射光。