[发明专利]一种氮面极性InGaN太阳能电池结构在审
| 申请号： | 201810090987.9 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108198893A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 肖红领;王琨;王权;李巍;姜丽娟;冯春;王翠梅;王晓亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮面极性InGaN太阳能电池结构，其包括：n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于n型GaN层的上面，p型GaN层位于i区光吸收层的上面；其中，n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层的极性为N面极性，太阳光由上表面入射到太阳能电池结构。本发明的特点是外延层为氮面极性，使得光吸收层i‑InGaN层中的总极化电场与内建电场方向相同，从而使极化效应不会阻碍光生载流子的分离和输运，以得到高效的InGaN太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 光吸收层 太阳能电池结构 氮面极性 光生载流子 太阳能电池 极化电场 极化效应 金属电极 内建电场 上表面 太阳光 外延层 入射 输运 阻碍 | ||
【主权项】：
1.一种氮面极性InGaN太阳能电池结构，其包括：n型GaN层；i区光吸收层，位于n型GaN层的上面；p型GaN层，位于i区光吸收层的上面；分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；其中，n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层的极性为N面极性，太阳光由上表面入射到太阳能电池结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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