[发明专利]一种CMOS自归零电路在审
| 申请号： | 201810091052.2 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108200365A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 袁红辉;陈永平;钟燕平;吕重阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/378;H04N5/361;H04N5/357 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 李秀兰 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS自归零电路，包括一个0.5PF的自归零电容、一个1PF的积分电容和两个降低电荷注入效应的NMOS管。当自归零开关S1和S2为高电平时，电路处于复位期间，将放大器失调电压和噪声电压存储在自归零电容上，S1‑为控制补偿管开关，减小S1开关的电荷注入效应。放大器采用差分输入的一级折叠共源共栅结构，克服了传统的二级放大器使用的米勒补偿电容在低温77K下容易引起振荡的缺点；该自归零电路在常温和低温77K之间都能正常工作，噪声比传统的电路低，可应用于非均匀性较大的中波线列红外HgCdTe探测器信号的读出。 | ||
| 搜索关键词： | 归零电路 电容 归零 放大器 电荷注入效应 传统的 电路 折叠共源共栅结构 二级放大器 探测器信号 非均匀性 复位期间 积分电容 控制补偿 米勒补偿 失调电压 噪声电压 噪声比 振荡 高电 减小 读出 存储 应用 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS自归零电路，其特征在于：包括一个差分低温放大器、一个0.5pF的自归零电容Caz、一个1pF的积分电容Cint、自归零开关S1和S2、自归零补偿开关S1－、复位积分开关reset；其特征在于：所述的自归零电路的输入端Vin通过自归零开关S2与差分低温放大器的正输入端相连，自归零电路输入端Vin通过自归零电容Caz与差分低温放大器的负输入端相连，自归零开关S1跨接在差分低温放大器的负输入端和输出端；所述的差分低温放大器，采用差分输入的折叠共源共栅结构，M5、M6、M13、M17构成差分输入的共源共栅结构，M16、M18为差分输出的有源负载，M7、M14为共源共栅电流驱动管。
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