[发明专利]一种镨钐铥共掺杂可见激光晶体材料的制备方法在审
申请号: | 201810091468.4 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN108265331A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 陆知纬 | 申请(专利权)人: | 无锡佶达德激光技术有限公司 |
主分类号: | C30B29/28 | 分类号: | C30B29/28;C30B15/00;H01S3/16 |
代理公司: | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人: | 沈振涛 |
地址: | 214000 江苏省无锡市惠山区惠*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种镨钐铥共掺杂可见激光晶体材料的制备方法,包括配料、烧结、晶体生长、降温等步骤,该镨钐铥共掺杂可见激光晶体材料,其化学式为:Gd3‑x‑y‑zSmxPryTmzSc2Ga3O12;其中,0.1≤x≤0.3,0.05≤y≤0.15,0.15≤z≤0.23。本发明提供的镨钐铥共掺杂可见激光晶体材料制备工艺简单,制备工艺简单,荧光效率高,输出时间快,荧光效率高,能够实现黄色激光输出。 | ||
搜索关键词: | 晶体材料 可见激光 共掺杂 荧光效率 制备工艺 制备 黄色激光 晶体生长 烧结 输出 | ||
【主权项】:
1.一种镨钐铥共掺杂可见激光晶体材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)配料:按化学式Gd3‑x‑y‑zSmxPryTmzSc2Ga3O12将Gd2O3、Pr2O3、Sm2O3、Tm2O3、Sc2O3、Ga2O3粉末按摩尔比进行称重后均匀混合,并压制成块;(2)烧结:将步骤(1)中的料块装入第一坩埚中,并将第一坩埚置于烧结炉中,在1150‑1180℃下烧结;(3)晶体生长:将步骤(2)中的烧结料装入第二坩埚中,并将第二坩埚置于单晶炉中,用惰性气体完全置换单晶炉中的空气,晶体炉升温至1760‑1790℃,晶体以一定速率开始生长,晶体炉以一定旋转速率旋转;(4)降温:晶体生长结束后,在10‑16h内降到室温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡佶达德激光技术有限公司,未经无锡佶达德激光技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810091468.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。