[发明专利]一种镨钐铥共掺杂可见激光晶体材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810091468.4 申请日: 2018-01-30
公开(公告)号: CN108265331A 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 陆知纬 申请(专利权)人: 无锡佶达德激光技术有限公司
主分类号: C30B29/28 分类号: C30B29/28;C30B15/00;H01S3/16
代理公司: 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 代理人: 沈振涛
地址: 214000 江苏省无锡市惠山区惠*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种镨钐铥共掺杂可见激光晶体材料的制备方法,包括配料、烧结、晶体生长、降温等步骤,该镨钐铥共掺杂可见激光晶体材料,其化学式为:Gd3‑x‑y‑zSmxPryTmzSc2Ga3O12;其中,0.1≤x≤0.3,0.05≤y≤0.15,0.15≤z≤0.23。本发明提供的镨钐铥共掺杂可见激光晶体材料制备工艺简单,制备工艺简单,荧光效率高,输出时间快,荧光效率高,能够实现黄色激光输出。
搜索关键词: 晶体材料 可见激光 共掺杂 荧光效率 制备工艺 制备 黄色激光 晶体生长 烧结 输出
【主权项】:
1.一种镨钐铥共掺杂可见激光晶体材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)配料:按化学式Gd3‑x‑y‑zSmxPryTmzSc2Ga3O12将Gd2O3、Pr2O3、Sm2O3、Tm2O3、Sc2O3、Ga2O3粉末按摩尔比进行称重后均匀混合,并压制成块;(2)烧结:将步骤(1)中的料块装入第一坩埚中,并将第一坩埚置于烧结炉中,在1150‑1180℃下烧结;(3)晶体生长:将步骤(2)中的烧结料装入第二坩埚中,并将第二坩埚置于单晶炉中,用惰性气体完全置换单晶炉中的空气,晶体炉升温至1760‑1790℃,晶体以一定速率开始生长,晶体炉以一定旋转速率旋转;(4)降温:晶体生长结束后,在10‑16h内降到室温。
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