[发明专利]一种共晶键合结构及共晶键合方法有效
| 申请号： | 201810092061.3 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110092348B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 丁刘胜;王诗男;游家杰;李盈 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种共晶键合结构和共晶键合方法，该共晶键合方法包括：在第一基片形成由第一材料形成的连同的第一主键合图形和第一补充键合图形；在第二基片形成由第二材料形成的连同的第二主键合图形和第二补充键合图形，第一材料不同于第二材料；将第一基片和第二基片加热至第一预定温度，并施加预定压力，使第一主键合图形和第二主键合图形、第一补充键合图形和第二补充键合图形共晶熔化；将第一基片和第二基片降温至第二预定温度，其中，第一补充键合图形和第二补充键合图形的共晶熔化温度低于第一主键合图形和第二主键合图形的共晶熔化温度，第一主键合图形和第二主键合图形的共晶熔化温度低于第一预定温度。根据本申请，能提高共晶键合的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共晶键合 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种共晶键合方法，包括：在第一基片形成由第一材料形成的第一主键合图形，以及第一补充键合图形，所述第一主键合图形和所述第一补充键合图形连通；在第二基片形成由第二材料形成的第二主键合图形，以及第二补充键合图形，所述第二主键合图形和所述第二补充键合图形连通，所述第一材料不同于所述第二材料；将所述第一基片和所述第二基片加热至第一预定温度，并施加预定压力，使所述第一主键合图形和所述第二主键合图形共晶熔化，所述第一补充键合图形和所述第二补充键合图形共晶熔化；以及将所述第一基片和所述第二基片降温至第二预定温度，其中，所述第一补充键合图形和所述第二补充键合图形的共晶熔化温度低于所述第一主键合图形和所述第二主键合图形的共晶熔化温度，所述第一主键合图形和所述第二主键合图形的共晶熔化温度低于所述第一预定温度。
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