[发明专利]一种光激发二氧化钛/四氧化三钴湿敏薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810092075.5 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108315691B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 卢靖;梁阔燚;史欢;柴绒;张钰蓉;黄剑锋 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C18/12;C23C28/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种光激发二氧化钛/四氧化三钴湿敏薄膜的制备方法，将Co3O4薄膜放入磁控溅射仪的样品台，TiO2靶材放入射频靶位，向镀膜室通入Ar气，设置TiO2射频靶位的电源功率为100W～400W，溅射时间为5min～60min，溅射同时对样品台加热，加热温度为500℃～700℃，溅射完成后，得到二氧化钛/四氧化三钴复合薄膜。本发明制备出的薄膜在可见光激发条件下对环境湿度非常灵敏，并且工艺可控性强、薄膜的组成、结构、性能易于调控，光激发下湿敏性突出。 | ||
| 搜索关键词： | 四氧化三钴 二氧化钛 光激发 溅射 制备 薄膜 湿敏薄膜 样品台 靶位 放入 射频 加热 工艺可控性 可见光激发 磁控溅射 电源功率 复合薄膜 镀膜室 靶材 敏性 灵敏 调控 | ||
【主权项】：
1.一种光激发二氧化钛/四氧化三钴湿敏薄膜的制备方法，其特征在于，将Co3O4薄膜放入磁控溅射仪的样品台，TiO2靶材放入射频靶位，向镀膜室通入Ar气，设置TiO2射频靶位的电源功率为100W～400W，溅射时间为5min～60min，溅射同时对样品台加热，加热温度为500℃～700℃，溅射完成后，得到二氧化钛/四氧化三钴复合薄膜。
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