[发明专利]一种硫掺杂形状和带隙可调节二氧化钼纳米片的制备方法在审
| 申请号： | 201810092998.0 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108341431A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 刘技文;冯龙 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C01G39/02 | 分类号： | C01G39/02;C01G39/00 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种硫掺杂形状和带隙可调节二氧化钼纳米片的制备方法。本发明的目的在于对二氧化钼纳米片进行硫掺杂来调节带隙的方法研究，获得不同带隙的纳米片，进而可以将其应用于微纳电子器件制造领域，并获得性能优异的电子器件。本发明的目的在于克服二氧化钼带隙过大的缺点，对制备的二氧化钼纳米片的带隙进行调节，为了实现这一目的，我们公开了一种二氧化钼纳米片带隙调节的方法，通过前驱体硫粉与三氧化钼粉的比例和生长温度的控制调节纳米片的硫掺杂程度。最终在获得不同带隙的二氧化钼纳米片。本发明所公开的工艺步骤简单，反应条件易控制，适合于工业化生产，并且产品具有优异的电学性质，在微纳电子器领域具有巨大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米片 带隙 二氧化钼 硫掺杂 制备 可调节 微纳电子器件 三氧化钼粉 电学性质 电子器件 反应条件 工艺步骤 控制调节 纳电子 前驱体 硫粉 应用 生长 制造 研究 | ||
【主权项】：
1.一种硫掺杂形状和带隙可调节二氧化钼纳米片的制备方法，其特征在于，制备方法以三氧化钼粉和硫粉为前驱体，氩气为载气，通过改变前驱体的比例与控制生长温度的高低，采用化学气相沉积法在SiO2/Si基片上制备不同形状与带隙的二氧化钼纳米片:；其中，硫粉和三氧化钼粉的质量比为20:1～20:3；生长温度为700℃～800℃。
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