[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201810093644.8 申请日: 2018-01-31
公开(公告)号: CN108630618A 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 甲斐健志;丸山力宏;宫嵜启裕 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/043 分类号: H01L23/043
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 齐雪娇;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的半导体装置能够维持焊料厚度,在防止接触部件的接合强度的降低的同时,防止焊料向接触部件的中空孔的扩散。当使接触部件(17)配置于凹状的接合区(13a1)后固化焊料(19)时,在接合区(13a1)内维持焊料(19)的焊料厚度。因此,能够维持接触部件(17)与焊料(19)的接触面积,且能够维持将接触部件(17)与导电图案(13a)接合的焊料(19)的焊料厚度。另外,由于在接合区(13a1)内维持了适当的量的焊料(19),所以不需要预先大量涂布焊料(19)的量。因此,能够抑制因将接触部件(17)接合到导电图案(13a)时的加热而带来的焊料(19)向接触部件(17)的中空孔(17b)的扩散。
搜索关键词: 焊料 接触部件 接合 接合区 半导体装置 导电图案 中空孔 防止接触部件 扩散 涂布焊料 凹状的 后固化 加热 配置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:基板,其具备形成有凹状的接合区的导电图案和形成有所述导电图案的绝缘板;以及接触部件,其在内部形成有筒状的中空孔,所述接触部件的一个开口端部通过接合部件接合到所述接合区。
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