[发明专利]一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法

摘要

一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，涉及硅微机械加工技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、在待刻蚀晶圆上表面涂覆光刻胶；步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤；步骤(三)、在光刻胶的上表面进行曝光显影，形成预先设计图形的光刻胶掩膜；步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜的外表面进行轰击处理；步骤(五)、在光刻胶掩膜的上表面，采用氧等离子体对光刻胶掩膜进行边角削除；得到最终图形成型的光刻胶掩膜；步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜，对待刻蚀晶圆进行深硅刻蚀；本发明使光刻胶掩膜具有更强的抗刻蚀能力、更高的图形符合度，有利于实现高陡直度深硅刻蚀结构。

主权项

1.一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤(一)、将待刻蚀晶圆(301)水平放置在热氮气中；并在待刻蚀晶圆(301)的上表面涂覆光刻胶(303)；步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶(303)的晶圆(301)进行烘烤；步骤(三)、在光刻胶(303)的上表面进行曝光显影，形成预先设计图形的光刻胶掩膜(303)；步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜(303)的外表面进行轰击处理；步骤(五)、在光刻胶掩膜(303)的上表面，采用氧等离子体对光刻胶掩膜(303)进行边角削除；得到最终图形成型的光刻胶掩膜(303)；步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜(303)，对待刻蚀晶圆(301)进行深硅刻蚀。