[发明专利]一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法有效
申请号: | 201810093853.2 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108281349B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 李新坤;庄海涵;梁德春;刘福民;吴浩越;王风娇;徐宇新 | 申请(专利权)人: | 北京航天控制仪器研究所 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 李晶尧 |
地址: | 100854 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法,涉及硅微机械加工技术领域;包括如下步骤:步骤(一)、在待刻蚀晶圆上表面涂覆光刻胶;步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤;步骤(三)、在光刻胶的上表面进行曝光显影,形成预先设计图形的光刻胶掩膜;步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜的外表面进行轰击处理;步骤(五)、在光刻胶掩膜的上表面,采用氧等离子体对光刻胶掩膜进行边角削除;得到最终图形成型的光刻胶掩膜;步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜,对待刻蚀晶圆进行深硅刻蚀;本发明使光刻胶掩膜具有更强的抗刻蚀能力、更高的图形符合度,有利于实现高陡直度深硅刻蚀结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 实现 陡直 度深硅 刻蚀 结构 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】:
1.一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤(一)、将待刻蚀晶圆(301)水平放置在热氮气中;并在待刻蚀晶圆(301)的上表面涂覆光刻胶(303);步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶(303)的晶圆(301)进行烘烤;步骤(三)、在光刻胶(303)的上表面进行曝光显影,形成预先设计图形的光刻胶掩膜(303);步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜(303)的外表面进行轰击处理;步骤(五)、在光刻胶掩膜(303)的上表面,采用氧等离子体对光刻胶掩膜(303)进行边角削除;得到最终图形成型的光刻胶掩膜(303);步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜(303),对待刻蚀晶圆(301)进行深硅刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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