[发明专利]一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法有效

专利信息
申请号: 201810093853.2 申请日: 2018-01-31
公开(公告)号: CN108281349B 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 李新坤;庄海涵;梁德春;刘福民;吴浩越;王风娇;徐宇新 申请(专利权)人: 北京航天控制仪器研究所
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 李晶尧
地址: 100854 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法,涉及硅微机械加工技术领域;包括如下步骤:步骤(一)、在待刻蚀晶圆上表面涂覆光刻胶;步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤;步骤(三)、在光刻胶的上表面进行曝光显影,形成预先设计图形的光刻胶掩膜;步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜的外表面进行轰击处理;步骤(五)、在光刻胶掩膜的上表面,采用氧等离子体对光刻胶掩膜进行边角削除;得到最终图形成型的光刻胶掩膜;步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜,对待刻蚀晶圆进行深硅刻蚀;本发明使光刻胶掩膜具有更强的抗刻蚀能力、更高的图形符合度,有利于实现高陡直度深硅刻蚀结构。
搜索关键词: 一种 实现 陡直 度深硅 刻蚀 结构 光刻 工艺 方法
【主权项】:
1.一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤(一)、将待刻蚀晶圆(301)水平放置在热氮气中;并在待刻蚀晶圆(301)的上表面涂覆光刻胶(303);步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶(303)的晶圆(301)进行烘烤;步骤(三)、在光刻胶(303)的上表面进行曝光显影,形成预先设计图形的光刻胶掩膜(303);步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜(303)的外表面进行轰击处理;步骤(五)、在光刻胶掩膜(303)的上表面,采用氧等离子体对光刻胶掩膜(303)进行边角削除;得到最终图形成型的光刻胶掩膜(303);步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜(303),对待刻蚀晶圆(301)进行深硅刻蚀。
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