[发明专利]一种石墨烯催化基底腐蚀液及基底腐蚀方法有效
| 申请号： | 201810094420.9 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108364860B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 王三胜;赵鹏;欧阳晓平 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学;湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 崔自京 |
| 地址： | 100000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种石墨烯催化基底腐蚀液及基底腐蚀方法，采用多种溶液复配作用，首先在基底腐蚀过程中不会有气泡产生，不会对石墨烯的完整性造成破坏，并且腐蚀液也不会损坏石墨烯层的完整性，重要的是，制备的石墨烯纯净无杂质，具有良好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 催化 基底 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯催化基底腐蚀液，其特征在于，包括以下组分：磷酸溶液、冰醋酸溶液、FeCl3溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
