[发明专利]半导体硅片中性水基清洗剂及其制备方法在审
| 申请号： | 201810095063.8 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108300592A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 朱汪龙;朱玲 | 申请（专利权）人： | 无锡乐东微电子有限公司 |
| 主分类号： | C11D1/83 | 分类号： | C11D1/83;C11D3/20;C11D3/26;C11D3/28;C11D3/37;C11D3/60 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 余俊杰 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体硅片中性水基清洗剂及其制备方法，按重量份计，所述清洗剂包括：非离子表面活性剂12～21份、阴离子表面活性剂8～19份、醇醚类溶剂25～40份、胺类化合物6～18份、抗静电剂3～12份、增溶剂1～4份、去离子水25～70份。与现有技术相比，本发明具有以下优点：(1)本发明所述半导体硅片中性水基清洗剂能够快速渗透到硅片表面，促进污染物的剥离；(2)所述清洗剂对硅片表面无腐蚀和氧化等副作用，保证硅片表面的平整度；(3)所述清洗剂对环境友好，对土壤和水体安全。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗剂 半导体硅片 水基清洗剂 硅片表面 制备 非离子表面活性剂 阴离子表面活性剂 胺类化合物 醇醚类溶剂 环境友好 抗静电剂 去离子水 平整度 无腐蚀 增溶剂 重量份 污染物 水体 剥离 土壤 安全 保证 | ||
【主权项】：
1.半导体硅片中性水基清洗剂，其特征在于，按重量份计，所述清洗剂包括：非离子表面活性剂12～21份、阴离子表面活性剂8～19份、醇醚类溶剂25～40份、胺类化合物6～18份、抗静电剂3～12份、增溶剂1～4份、去离子水25～70份。
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