[发明专利]一种晶圆键合前的预清洗方法在审
| 申请号： | 201810096555.9 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108346560A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 邹文;胡胜;潘震 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆键合前的预清洗方法，包括：在晶圆的前制程完成后、晶圆键合前，使用第一清洗液从所述晶圆的背面对所述晶圆的倒角处进行第一次清洗，同时在所述晶圆的正面施加保护气体，以使保护所述晶圆的正面不受清洗的影响；其中，所述第一清洗液为氢氟酸、硝酸和硫酸中的任意一种或多种与去离子水形成的混合溶液。本发明提出一种晶圆键合前的预清洗方法，在晶圆的前制程完成后、键合前，使用所述预清洗方法对晶圆的倒角处残留的薄膜和化学品进行清洗，可以改善晶圆键合空洞缺陷率，针对不同的缺陷源进行选择性的工艺参数优化可以不同程度改善晶圆键合空洞缺陷率，提升产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 预清洗 晶圆键合 圆键 种晶 清洗 空洞缺陷 清洗液 倒角 制程 工艺参数优化 保护气体 产品性能 混合溶液 去离子水 化学品 氢氟酸 硝酸 键合 薄膜 硫酸 残留 施加 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合前的预清洗方法，其特征在于，包括：在晶圆的前制程完成后、晶圆键合前，从所述晶圆的背面对所述晶圆的倒角处进行第一次清洗，同时在所述晶圆的正面施加保护气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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