[发明专利]一种紫外LED芯片、紫外LED芯片的制作方法及一种紫外LED在审
| 申请号： | 201810096603.4 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108110105A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 何苗;杨思攀;王润;赵韦人 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种紫外LED芯片，由于具有从下至上渐缩的倾斜式纳米柱阵列形式的紫外LED外延层，这种形式的外延层含有倾斜的空气间隙，使得相邻的倾斜纳米柱阵列之间被空气相互贯通，利用纳米柱阵列和外界空气这两种界面之间的菲涅耳散射以及倾斜侧壁对光线的漫反射效应，能够增强紫外LED的出光效率和亮度，还由于所述N型欧姆接触层利用贯穿所述蓝宝石衬底、所述缓冲及成核层、所述AlN/AlGaN超晶格层的金属接触栓连接至所述N型AlGaN层，因此能够增强散热效果，本申请还提供了紫外LED及紫外LED芯片制作方法，由于包括上述紫外LED芯片，因此能够增强紫外LED的出光效率和亮度，增强散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外LED芯片 紫外LED 纳米柱阵列 出光效率 散热效果 外延层 漫反射效应 超晶格层 金属接触 空气间隙 倾斜侧壁 外界空气 蓝宝石 成核层 倾斜式 栓连接 散射 衬底 缓冲 渐缩 制作 申请 贯通 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种紫外LED芯片，其特征在于，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底的上表面依次设置有缓冲及成核层、AlN/AlGaN超晶格层、N型AlGaN层、具有从下至上渐缩的倾斜式纳米柱阵列形式的紫外LED外延层，所述紫外LED外延层的上表面还依次设置有平面状的导电层和镜面反射层，所述镜面反射层的表面利用键合连接层固定有P型导电衬底，所述P型导电衬底的上表面依次设置有P型欧姆接触层和P型电极，所述蓝宝石衬底的下表面依次设置有N型欧姆接触层和N型电极，所述N型欧姆接触层利用贯穿所述蓝宝石衬底、所述缓冲及成核层、所述AlN/AlGaN超晶格层的金属接触栓连接至所述N型AlGaN层。
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