[发明专利]一种提升碳纳米管阵列场发射性能的方法有效
| 申请号： | 201810096701.8 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108987214B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 邓建华;张燕;朱文祥 | 申请（专利权）人： | 天津师范大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提升碳纳米管阵列场发射性能的方法，属于纳米材料的制备和应用领域。包括以下制备工艺：(1)对单晶硅片进行载能银离子轰击预处理；(2)用常规的热化学气相沉积法制备碳纳米管阵列并高温退火；(3)在微波等离子体系统中用氮、氢等离子体室温下处理碳纳米管阵列；(4)以倾角注入的方式对碳纳米管进行载能硅离子轰击处理。与单纯碳纳米管阵列和现有技术相比，本方法所制备的氮掺杂碳化硅‑碳纳米管阵列具有极低的工作电场和极高的场发射电流密度以及在高场发射电流密度下具有极好的场发射稳定性，有很高的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 纳米 阵列 发射 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提升碳纳米管阵列场发射性能的方法，其特征在于，包括：在载能银离子轰击过的硅单晶片上用热化学气相沉积法制备碳纳米管阵列并高温退火，然后利用微波氮、氢等离子体在常温下处理碳纳米管阵列，通过调节微波功率为150～200W、处理室气压为1.5kPa、处理时间为0.5～1小时来控制碳纳米管的形貌，然后将所得氮掺杂碳纳米管阵列在金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA源)中进行硅离子注入处理，最终获得氮掺杂碳化硅‑碳纳米管阵列；所得氮掺杂碳化硅‑碳纳米管阵列的阈值场平均仅有1.10‑1.32V/μm，最大场发射电流密度平均可达77.93‑110.96mA/cm2，在平均场发射电流密度高达31.31mA/cm2、50小时内的电流衰减仅有3.4％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津师范大学，未经天津师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810096701.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
