[发明专利]一种热阻提取方法及系统有效
| 申请号： | 201810096948.X | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108363849B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 徐跃杭;毛书漫;赵晓冬;乔世阳;陈勇波;汪昌思;高能武;徐锐敏;延波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G01R31/265;G01R31/26;G01N25/20 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种热阻提取方法及系统。所述方法及系统通过获取所述静态功耗下所述器件的红外热成像实测沟道温度分布，对所述器件的热仿真模型进行校准，然后根据所述校准后的热仿真模型进行器件热阻的计算。所述方法及系统结合了红外热成像法结果直观和ANSYS仿真法简易、成本低的优势，同时解决了红外热成像法空间分辨率低和ANSYS仿真中模型与实际器件存在差异这两大缺陷带来的误差，极大提高了热阻提取的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提取 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种热阻提取方法，其特征在于，所述热阻提取方法包括：获取氮化镓高电子迁移率晶体管器件的预设偏置点的静态功耗和静态功耗密度；获取所述静态功耗下所述器件的红外热成像实测沟道温度；根据所述静态功耗密度对所述器件进行稳态热仿真，生成所述器件的仿真沟道温度分布曲线；根据所述红外热成像实测沟道温度和所述仿真沟道温度分布曲线对所述器件的热仿真模型中各层材料的热导率进行校准，获得校准后的热仿真模型；根据所述校准后的热仿真模型确定参考点的温度；根据所述参考点的温度计算所述器件的热阻。
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