[发明专利]一种MoS2基量子阱型调制掺杂场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810097611.0 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108231871A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李国强;黄烈根;王文樑;郑昱林 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种MoS2基量子阱型调制掺杂场效应晶体管及其制备方法。MoS2基量子阱型调制掺杂场效应晶体管自下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN层、量子阱型结构层，所述量子阱型结构层为MoS2xSe2(1‑x)层/MoS2层/MoS2xSe2(1‑x)层；所述量子阱型结构层的上方设有源电极、漏电极和栅电极；栅电极设置在源电极和漏电极之间。本发明采用量子阱型结构，在此结构中存在两个平行的异质界面，最大电流薄层和电流都加倍；MoS2沟道层夹在两个势垒之间，能够更好地限制载流子。总之，本发明的晶体管具有优异的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱 调制掺杂场效应晶体管 结构层 漏电极 源电极 栅电极 制备 载流子 微电子器件 异质界面 最大电流 沟道层 缓冲层 晶体管 薄层 衬底 势垒 平行 | ||
【主权项】：
1.一种MoS2基量子阱型调制掺杂场效应晶体管，其特征在于：自下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN层、量子阱型结构层，所述量子阱型结构层为MoS2xSe2(1‑x)层/MoS2层/MoS2xSe2(1‑x)层；所述量子阱型结构层的上方设有源电极、漏电极和栅电极；栅电极设置在源电极和漏电极之间。
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