[发明专利]一种Ge-Sb-C相变存储材料、其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810097825.8 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108346739B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 徐明;吴倩倩;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种Ge‑Sb‑C相变存储材料、其制备方法和应用。本发明的Ge‑Sb‑C新型相变存储材料，其化学组成通式(GeiSbj)100‑xCx，其中x,i,j,均表示原子百分比，0＜x＜15，0＜i≤50，50≤j＜100，i+j＝100。与现有技术相比，本发明的一种Ge‑Sb‑C相变存储材料相变前后的密度变化减小，使得相变后产生的应力减小，器件循环性能提高；同时在本发明中，所述Ge‑Sb‑C相变存储材料相变温度得到大幅度提升，热稳定性增强，数据保持力增强；另外，所述Ge‑Sb‑C相变存储材料的晶态电阻率升高，器件的RESET电流减小，操作功耗降低。 | ||
| 搜索关键词： | 相变存储材料 制备方法和应用 微电子技术领域 化学组成通式 晶态电阻率 数据保持力 原子百分比 操作功耗 电流减小 密度变化 热稳定性 循环性能 应力减小 减小 升高 | ||
【主权项】：
1.一种Ge‑Sb‑C相变存储材料，其特征在于，其化学组成通式为(GeiSbj)100‑xCx，其中，x,i,j都为原子百分比，其中0＜x＜15，0＜i≤50，50≤j＜100，i+j＝100；所述Ge‑Sb‑C相变存储材料中C原子存在于Ge‑Sb晶格间隙中，并与Ge‑Sb形成化学键；在非晶态中形成四面体中心提高原子堆积效率，减小该Ge‑Sb‑C相变存储材料相变前后的密度变化；所述Ge‑Sb‑C相变存储材料通过控制C的掺入含量来控制所述相变存储材料的相变温度和电阻率；所述Ge‑Sb‑C相变存储材料的高阻态的电阻率至少是低阻态的100倍。
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