[发明专利]一种基于MnAs/GaAs界面半金属性的制备工艺在审
| 申请号： | 201810099018.X | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108336137A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 韩红培 | 申请（专利权）人： | 许昌学院 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙) 44394 | 代理人： | 胡慧 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MnAs/GaAs界面半金属性的制备工艺，包括以下步骤：第一步：构建闪锌矿型MnAs的晶体结构，对其晶格结构进行优化；第二步：在平衡晶格常数aeq下，对MnAs的态密度进行计算并加以分析；第三步：构建MnAs/GaAs(001)方向四种界面结构并进行优化；第四步：计算优化后的界面结构的态密度并加以分析；第五步：通过分析和比较，获得具有半金属特性的界面结构；采用上述方案，本发明构能将自旋电子器件的诸多优点发挥到最佳，具有很好的市场应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 界面结构 制备工艺 金属性 构建 优化 自旋电子器件 晶格常数 晶格结构 晶体结构 闪锌矿型 市场应用 分析 半金属 平衡 | ||
【主权项】：
1.一种基于MnAs/GaAs界面半金属性的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：第一步：构建闪锌矿型的MnAs块材结构，对其晶格结构进行优化，获得平衡晶格常数aeq；第二步：在平衡晶格常数aeq下，对MnAs的态密度进行计算并加以分析，确定块材的MnAs具有良好的半金属性；第三步：在(001)方向，构建半金属MnAs和半导体GaAs组成的四种界面结构并进行优化，在优化的过程中，界面左右5层的原子位置弛豫，其他原子位置固定；第四步：计算优化后的界面结构的态密度并加以分析，利用图示法画出界面结构的态密度，并与块材态密度进行比较；第五步：通过分析和比较，获得具有半金属特性的界面结构。
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