[发明专利]一种低功耗氮化硅隧穿结阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810099307.X | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110098323A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 马忠元;孙杨;谭定文 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210023 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低功耗氮化硅隧穿结阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：氮化硅隧穿结阻变层由富氮的氮化硅阻变层作为中间层，上下两层为相同化学配比的富硅氮化硅薄膜，阻变层上表面的条形电极和下表面的条形电极互相垂直；本发明与当前的微电子工艺技术相兼容，通过含氢富氮氮化硅薄膜的化学配比调控，从而调节构成隧穿结阻变存储器的隧穿层势垒高度，控制穿过隧穿层的电流，进而达到调控工作电流，实现超低功率，使氮化硅隧穿结阻变存储器可切实应用于未来的硅基纳米存储器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅 隧穿结 阻变存储器 阻变层 化学配比 条形电极 低功耗 隧穿层 富氮 非挥发性存储器 富硅氮化硅薄膜 微电子工艺技术 氮化硅薄膜 超低功率 存储器件 工作电流 硅基纳米 互相垂直 上下两层 存储器 上表面 下表面 中间层 调控 势垒 制备 兼容 穿过 应用 | ||
【主权项】：
1.本发明涉及氮化硅隧穿结阻变存储器，属于非挥发性性存储器技术领域。该存储器采用单晶硅作为衬底，其特征在于：包括附着在表面氧化的单晶硅衬底上的氮化硅基隧穿结阻变层，及分别附着在阻变层上表面和下表面的互相垂直的条形电极；
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