[发明专利]一种半导体衬底的处理系统

摘要

本发明提供一种半导体衬底的处理系统,能够快速准确测量GaAs晶片的应力并进行精准退火处理，通过第一快速应力监测装置能够快速的获得所处理GaAs晶片的整体应力分布并进行标记，通过第二应力精确监测装置，获得应力较大的区域精确的应力值，依照所测量的应力值，对于应力较大区域采用激光退火装置进行退火，改善晶片的应力分布；本发明具有操作方便、性能可靠、修复效率高等特点。

主权项

1.一种GaAs晶片处理系统，包括，晶片处置工作台，用于置放被处理的GaAs晶片；第一快速应力监测装置，通过该第一快速应力监测装置能够快速的获得所处理GaAs晶片的整体应力分布；对GaAs晶片的中应力较大的区域进行标定，即通过第一快速应力监测装置获得应力较大的区域101；第二应力精确监测装置，该监测装置对应力较大的区域101进行监测，并够获得所探测区域精确的应力值；精确退火装置，所述精确退火装置为激光退火装置，该激光退火装置能够对特定的应力较大的区域进行位置精准的退火工艺处理，并且根据待处理区域的精确的应力值情况，精确控制激光退火工艺能量密度和退火时间，从而降低相应区域的应力值，改善晶片的质量。