[发明专利]新型异质结雪崩光电二极管

摘要

本发明公开了一种新型异质结雪崩光电二极管，包括衬底、第一外延层、第二外延层、第三外延层和第四外延层，第四外延层通过异质外延生长形成于第三外延层之上；第一外延层上形成有第一掺杂区，第一掺杂区包含第一掺杂类型掺杂；第一外延层上形成有第一电极接触区，第一电极接触区包含第一掺杂类型掺杂；第二外延层上形成有第二掺杂区，第二掺杂区包含第一掺杂类型掺杂；第三外延层顶部区域形成有制作有图形的防电场穿透保护层，制作有图形的防电场穿透保护层包含有第一掺杂剂量的第二掺杂类型掺杂；第三外延层顶部区域形成有电场穿透通孔阵列区，电场穿透通孔阵列区包含有第二掺杂剂量的第二掺杂类型掺杂。本发明可以降低器件暗电流，提高探测灵敏度。

主权项

1.新型异质结雪崩光电二极管，其特征在于，从下至上依次包括衬底、第一外延层、第二外延层、第三外延层和第四外延层，所述第四外延层通过异质外延生长形成于所述第三外延层之上；所述第一外延层上形成有第一掺杂区，所述第一掺杂区包含第一掺杂类型掺杂；所述第一外延层上形成有第一电极接触区，所述第一电极接触区包含第一掺杂类型掺杂；所述第二外延层上形成有第二掺杂区，所述第二掺杂区包含第一掺杂类型掺杂；所述第三外延层顶部区域形成有制作有图形的防电场穿透保护层，所述制作有图形的防电场穿透保护层包含有第一掺杂剂量的第二掺杂类型掺杂；所述第三外延层顶部区域形成有电场穿透通孔阵列区，所述电场穿透通孔阵列区包含有第二掺杂剂量的第二掺杂类型掺杂；所述第四外延层上形成有第二电极接触区，所述第二电极接触区包含第二掺杂类型掺杂。