[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本申请揭露一种薄膜晶体管及其制造方法。所述制造方法包括：在第一导电层上对应于缓冲层的凹部处形成对应于一闸电极图案的一光刻胶；图案化第一导电层，以在凹部形成对应于光刻胶之一闸电极，使闸电极的外围具有相互连接一斜面与一平面，并去除光刻胶；图案化半导体材料层，使半导体材料层对应于闸电极而设置；以及形成一第二导电层在半导体材料层与闸极介电层上，并图案化第二导电层，以于半导体材料层上分别形成一源电极与一漏电极，其中源电极与漏电极分别接触半导体材料层，且闸电极分别使源电极和漏电极自对准重叠。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在一基材上形成一缓冲层，并图案化所述缓冲层以形成一凹部；形成一第一导电层于所述缓冲层上；在所述第一导电层上对应于凹部处形成对应于一闸电极图案的一光刻胶；图案化所述第一导电层，以在所述凹部形成对应于所述光刻胶之一闸电极，使所述闸电极的外围具有相互连接一斜面与一平面，并去除所述光刻胶；形成一闸极介电层于所述闸电极与所述缓冲层上；形成一半导体材料层于所述闸极介电层上并图案化所述半导体材料层，使所述半导体材料层对应于所述闸电极而设置；以及形成一第二导电层在所述半导体材料层与所述闸极介电层上，并图案化所述第二导电层，以于所述半导体材料层上分别形成一源电极与一漏电极，其中所述源电极与所述漏电极分别接触所述半导体材料层，且所述闸电极分别使所述源电极和所述漏电极自对准重叠。