[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201810101171.1 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108493304B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 魏晓骏;葛永晖;舒辉;郭炳磊;吕蒙普;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：提供设有缓冲层的衬底，所述缓冲层包括氮化硼层；在所述缓冲层上生长未掺杂氮化镓层；在所述未掺杂氮化镓层上设置粘性膜；利用粘性膜将所述未掺杂氮化镓层与所述缓冲层分离，并转移到基底上；去除粘性膜，留下设有所述未掺杂氮化镓层的基底。本发明通过采用氮化硼层作为衬底上的缓冲层，并在缓冲层上生长未掺杂氮化镓层，因此在氮化硼层上生长的未掺杂氮化镓层的晶体质量较好。再利用粘性膜将晶体质量较好的未掺杂氮化镓层与缓冲层分离，并转移到基底上，即可得到晶体质量较好的外延片底层，从而继续生长得到的发光二极管外延片的晶体质量也会较好。 | ||
| 搜索关键词： | 未掺杂氮化镓层 缓冲层 粘性膜 发光二极管外延 氮化硼层 基底 制备 生长 衬底 半导体技术领域 外延片 再利用 去除 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供设有缓冲层的衬底，所述缓冲层包括氮化硼层；在所述缓冲层上生长未掺杂氮化镓层；在所述未掺杂氮化镓层上设置粘性膜；撕除所述粘性膜，使所述未掺杂氮化镓层在机械应力的作用下与所述缓冲层分离；将所述未掺杂氮化镓层铺设在基底上，使所述未掺杂氮化镓层在范德华力的作用下固定在所述基底上；去除所述粘性膜，留下设有所述未掺杂氮化镓层的基底；在所述未掺杂氮化镓层上依次生长N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，形成所述发光二极管外延片。
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