[发明专利]一种薄膜晶体管、其制备方法、显示基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201810101958.8 申请日: 2018-02-01
公开(公告)号: CN110112219B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 张骥;王会明;陈琳;高锦成 申请(专利权)人: 合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/51;H01L21/336
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 刘伟;蔡丽
地址: 230012 安徽省合肥市新*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及显示领域,特别涉及一种薄膜晶体管、其制备方法、显示基板及显示装置。薄膜晶体管,包括设置于栅极与半导体层之间的栅绝缘层,栅绝缘层包括金属氧化物层和位于金属氧化物层远离栅极一侧、经自组装形成的改性层。本发明通过栅绝缘层材料和结构的改变,提高了薄膜晶体管的电容,获得了更高的开态电流,并且提高了充电效率。而且栅绝缘层的制备方法简便,有利于在制备薄膜晶体管过程中广泛应用。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 制备 方法 显示 显示装置
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括设置于栅极与半导体层之间的栅绝缘层,所述栅绝缘层包括金属氧化物层和位于所述金属氧化物层远离栅极一侧、经自组装形成的改性层。
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