[发明专利]通过添加Bi和In制备多晶结构无铅互连焊点的方法

摘要

通过添加Bi和In制备多晶结构无铅互连焊点的方法，属于材料制备与连接领域，适用于制备具有多晶取向的无铅互连焊点，当焊点的重熔制备温度达到280℃时，多晶结构焊点比例达到100％，可以显著提高无铅互连焊点的服役可靠性。本发明的优点在于能够制备各种结构的无铅互连焊点，如对接、搭接和球栅阵列(Ball Grid Array,BGA)焊点封装结构等，保证得到的无铅互连焊点具备多晶结构；工艺简单，其重熔制备工艺与传统的无铅焊点无异；同时获得的无铅互连焊点能够满足实际应用的需求。

主权项

1.通过添加Bi和In制备多晶结构无铅互连焊点的方法，其特征在于，焊点结构份为对接、搭接和BGA封装组件，包括以下步骤：(1)、根据实际需要进行焊盘或芯片的制作，并进行清除焊盘表面的氧化物和污染物；(2)、制作对接或搭接焊点时，准备SnAgBiIn或其复合钎料，为后续多晶结构焊点的重熔制备做准备；制作球栅阵列(Ball Grid Array,BGA)焊点封装结构时，则需要首先将SnAgBiIn或其复合钎料制备成钎料球，然后采用重熔工艺回流曲线进行钎料球与焊盘或者芯片的重熔连接，冷却至室温，得到的带有凸点的焊盘或芯片，为后续具有多晶结构焊点封装组件的重熔制备做准备；(3)、制作对接或搭接焊点时，在两个焊盘之间涂敷少量焊膏，采用一定的重熔工艺回流曲线，进行焊点的重熔制备，冷却至室温，得到相应的对接或搭接焊点；制备BGA封装结构时，将已经制备得到的带有凸点的焊盘或芯片通过重熔工艺回流曲线焊接到空芯片或空焊盘上，进行焊点的重熔制备，冷却至室温，得到相应的BGA焊点。